21A 650VN

21A 650VN;

21A 650V N-Channel Super Junction Power Mosfet Dhsj21n65W to-247

Caratteristiche

Commutazione rapida

Bassa resistenza (Rdson≤0,165Ω)

Carica gate bassa (tip.: 50nC)

Capacità di trasferimento inverso basse (tipicamente: 3,5 pF)

Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.

100% ΔV_DSTest

Applicazioni

Correzione del fattore di potenza (PFC).

Alimentatori a modalità commutata (SMPS).

Gruppo di continuità (UPS).

Convertitori CA-CC

Telecomunicazioni, SOLARE

PARAMETRO		SIMBOLO	VALUTAZIONE		UNITÀ
			DHSJ21N65/DHISJ2/ 1N65/DHESJ21N65	DHFSJ21N65
Tensione Drian-source		V_DSS	650		V
Tensione gate-source		V_GSS	±20		V
Corrente di scarico continua		IO_DTC=25ºC	21		UN
		TC=100ºC	13.1		UN
Corrente di drenaggio pulsata		IO_DM	61		UN
Energia da valanga a impulso singolo		E_COME	316		mJ
Dissipazione di potenza	T_UN=25ºC	P_{Fino a}	2

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