7A 800VN

7A 800VN;

7A 800V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n80 to-220f **%off

PARAMETRO		SIMBOLO	VALORE		UNITÀ
			7N80/I7N80/E7N80	F7N80
Massima tensione CC Drian-Source		V_DS	800		V
Tensione massima di gate-drain		V_GS	±30		V
Corrente di scarico (continua)		IO_D(T=25ºC)	7		UN
		(T=100ºC)	4		UN
Corrente di scarico (pulsata)		IO_DM	28		UN
Energia da valanga a impulso singolo		E_COME	150		mJ
Recupero picco diodo dv/dt		dv/dt	5		V/ns
Dissipazione totale	Ta=25ºC	Pto	2	2	W
	TC=25ºC	Pto	120	48	W
Temperatura di giunzione		T_J	-55~150		ºC
temperatura di conservazione		T_stg	-55~150		ºC

Caratteristiche

Commutazione veloce

Bassa resistenza all'attivazione

Tariffa di gate bassa

Capacità di trasferimento inverso basse

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