5A 200VN

5A 200VN;

5A 200V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet B5n20 to-251

PARAMETRO		SIMBOLO	VALORE		UNITÀ
			5N20/I5N20/E5N20/B5N20/D5N20	F5N20
Voltaggio della sorgente Drian		V_DS	200		V
Tensione di gate-drain		V_GS	±30		V
Corrente di scarico (continua)		IO_D(T=25ºC)	5		UN
		(T=100ºC)	3.4		UN
Corrente di scarico (pulsata)		IO_DM	20		UN
Energia da valanga a impulso singolo		E_COME	125		mJ
Recupero picco diodo dv/dt		dv/dt	5		V/ns
Dissipazione totale	Ta=25ºC	Pto	2	2	W
	TC=25ºC	Pto	40	20	W
Temperatura di giunzione		T_J	-55~150		ºC
temperatura di conservazione		T_stg	-55~150		ºC

Caratteristiche

Commutazione veloce

Bassa resistenza ON (Rdson ≤ 0,65 Ω)

Carica gate bassa (tip. 7nC)

Capacità di trasferimento inverso basse (tipiche: 8pF)

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