110A 60VN

110A 60VN;

110A 60V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Dh066n06 Dh066n06D

PARAMETRO		SIMBOLO	VALORE	UNITÀ
			DH066N06/DH066N06D
Tensione Drian-source		V_DSS	60	V
Tensione gate-source		V_GSS	±20	V
Corrente di scarico (continua)		IO_D(T=25ºC)	110	UN
		(T=100ºC)	78	UN
Corrente di scarico (pulsata)		IO_DM	440	UN
Energia da valanga a impulso singolo		E_COME	484	mJ
Dissipazione totale	Ta=25ºC	Pto	2	W
	TC=25ºC	Pto	150	W
Temperatura di giunzione		T_J	-55~175	ºC
temperatura di conservazione		T_stg	-55~175	ºC

Caratteristiche

Commutazione veloce

Bassa resistenza all'attivazione

Tariffa di gate bassa

Capacità di trasferimento inverso basse

Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.

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