Il primo modulo MOSFET Dual SiC da 2200 V del settore...

Il modulo SiC MG250YD2YMS3 da 2200 V ha una corrente di drenaggio (CC) nominale di 250 A e utilizza chip MOSFET di terza generazione dell'azienda. È adatto per applicazioni che utilizzano 1500 V CC, come sistemi di alimentazione fotovoltaica e sistemi di accumulo di energia. Le spedizioni in volume iniziano ora.

Queste applicazioni industriali utilizzano generalmente una potenza di 1.000 V CC o inferiore e i dispositivi di alimentazione sono per lo più prodotti da 1.200 V o 1.700 V. Tuttavia, prevedendo un utilizzo diffuso di 1.500 V CC nei prossimi anni, Toshiba ha lanciato il primo prodotto da 2.200 V del settore.

Il modulo MG250YD2YMS3 offre una bassa perdita di conduzione con una bassa tensione di alimentazione drain-source (sensore) di 0,7 V (tip.). Offre inoltre una minore perdita di commutazione all'accensione e allo spegnimento, rispettivamente di 14 mJ (tip.) e 11 mJ (tip.), una riduzione di circa il 90% rispetto a un tipico IGBT al silicio (Si).

La bassa perdita di commutazione consente inoltre di sostituire il tradizionale circuito a tre livelli con un circuito a due livelli con un numero di moduli inferiore, contribuendo alla miniaturizzazione delle apparecchiature.

Specifiche principali

(Tc=25°C se non diversamente specificato)

Numero di parte

MG250YD2YMS3

Nome del pacchetto Toshiba

2-153A1A

Assoluto

massimo

giudizi

Tensione drain-source VDSS (V)

2200

Tensione gate-source VGSS (V)

+25/-10

Corrente assorbita (CC) ID (A)

250

Corrente assorbita (impulsiva) IDP (A)

500

Temperatura del canale Tch (°C)

150

Tensione di isolamento Visol (Vrms)

4000

Elettrico

caratteristiche

Tensione di alimentazione drain-source (sensore)

Rilevamento VDS(on) (V)

ID=250A, VGS=+20V,

Tch＝25°C

tip.

0,7

Tensione di alimentazione source-drain (senso)

Rilevamento(on)VSD (V)

IS=250A, VGS=+20V,

Tch＝25°C

tip.

0,7

Tensione di disattivazione source-drain (sensore)

Rilevamento (fuori)VSD (V)

IS＝250A, VGS=-6V,

Tch＝25°C

tip.

1.6

Perdita di commutazione all'accensione

Eone (mJ)

VDD=1100 V,

ID=250A, Tch＝150°C

tip.

Perdita di commutazione allo spegnimento

Eoff (mJ)

tip.

Induttanza parassita LsPN (nH)

tip.

MG250YD2YMS3